Normal view
MARC view
Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | молекулярно-лучевая эпитаксия | низкотемпературная молекулярно-лучевая эпитаксия | труды ученых ТГУ In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 119-120No physical items for this record
There are no comments on this title.