Normal view
MARC view
Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | низкие температуры | полупроводниковые соединения | арсенид галлия | мышьяк | молекулярно-лучевая эпитаксия | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 174-176No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.