|
|
251.
|
Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2 В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев by Воеводин, Валерий Георгиевич | Гриняев, Сергей Николаевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
252.
|
|
|
|
253.
|
|
|
|
254.
|
Метод определения типа проводимости в особо чистом германии Л. Т. Узунян, А. Г. Левашкин by Узунян, Лаврентий Таджатович | Левашкин, Андрей Геньевич. Source: Инноватика-2021 : сборник материалов XVII Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 22-23 апреля 2021 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
 ; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Method for determining the type of conductivity in high-purity germanium.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
255.
|
|
|
|
256.
|
|
|
|
257.
|
|
|
|
258.
|
|
|
|
259.
|
|
|
|
260.
|
|
|
|
261.
|
Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
262.
|
Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
263.
|
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
264.
|
|
|
|
265.
|
Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
266.
|
|
|
|
267.
|
Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Панин, Алексей Викторович | Субач, Сергей Владимирович | Хруль, М. В | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
268.
|
Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Шмаков, Олег Геннадьевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
269.
|
|
|
|
270.
|
|
|
|
271.
|
|
|
|
272.
|
|
|
|
273.
|
|
|
|
274.
|
|
|
|
275.
|
Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде А. В. Голиков, В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.] by Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич | Ромась, Лариса Михайловна | Широкова, Л. С. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
276.
|
|
|
|
277.
|
|
|
|
278.
|
|
|
|
279.
|
|
|
|
280.
|
|
|
|
281.
|
|
|
|
282.
|
|
|
|
283.
|
|
|
|
284.
|
|
|
|
285.
|
|
|
|
286.
|
Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs В. А. Рогозин, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин [и др.] by Рогозин, В. А | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Федоров, Ю. В | Хабаров, Ю. В. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
287.
|
Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.] by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
288.
|
|
|
|
289.
|
|
|
|
290.
|
Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
291.
|
|
|
|
292.
|
|
|
|
293.
|
|
|
|
294.
|
|
|
|
295.
|
|
|
|
296.
|
|
|
|
297.
|
|
|
|
298.
|
Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев by Пешев, Владимир Викторович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
299.
|
|
|
|
300.
|
|
