Normal view
MARC view
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводниковые соединения | арсенид галлия | кремний | молекулярно-лучевая эпитаксия | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 180-182No physical items for this record
There are no comments on this title.