Normal view
MARC view
Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев
Material type: ArticleSubject(s): физико-химические процессы | неорганические материалы | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ | молекулярно-лучевая эпитаксия | эпитаксиальные пленки | радиационное воздействие | радиационное дефектообразование In: Физико-химические процессы в неорганических материалах ФХП-9. Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : доклады Т. 2. С. 380-383No physical items for this record
There are no comments on this title.