Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 6 results.

    1.
    Пространственное разделение пар коррелированных взаимодействующих точечных дефектов в кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 В. И. Сигимов ; науч. рук. Завадовская Е. К. ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова

    by Сигимов, Владислав Иванович | Завадовская, Екатерина Константиновна, 1913-2004 [ths] | Томский политехнический институт им. С. М. Кирова.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1979Availability: No items available :
    2.
    Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук А. Н. Кравец ; науч. рук. Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И. ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова

    by Кравец, А. Н | Мелик-Гайказян, Ирина Яковлевна, 1922-1998 [ths] | Вайсбурд, Давид Израйлевич, 1937-2009 [ths] | Томский политехнический институт им. С. М. Кирова.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1966Availability: No items available :
    3.
    Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов, В. Г. Средин, С. А. Шульга

    by Талипов, Нияз Хатимович | Средин, Виктор Геннадиевич | Шульга, Сергей Анатольевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Факультет прикладной математики и кибернетики Кафедра защиты информации и криптографии.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ М. Ф. Филатов, Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Филатов, Михаил Федорович | Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Профили распределения радиационных дефектов в КРТ при ионной имплантации Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :