Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 13 results.

    1.
    Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Прудаев Илья Анатольевич ; науч. рук. С. С. Хлудков ; Том. гос. ун-т

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2009Availability: No items available :
    2.
    Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche s-diodes based on GaAs I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, A. D. Koroleva, O. P. Tolbanov

    by Verkholetov, Maksim G | Koroleva, A. D | Tolbanov, Oleg P | Prudaev, Ilya A.

    Source: Technical physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, V. L. Oleinik

    by Prudaev, Ilya A | Kopyev, Viktor V | Oleinik, Vladimir L.

    Source: Physica status solidi BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами Р. А. Гальченко

    by Гальченко, Регина Аркадьевна.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe I. A. Prudaev, V. L. Oleinik, T. E. Smirnova [et al.]

    by Oleinik, Vladimir L | Smirnova, Tatyana E | Kopyev, Viktor V | Verkholetov, Maksim G | Balzovsky, Evgeny V | Tolbanov, Oleg P | Prudaev, Ilya A.

    Source: IEEE transactions on electron devicesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Физические основы работы лавинного S-диода И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Study of the switching characteristics of gas S-diodes V. Barmin, P. Priputnev, V. Konev [et al.]

    by Barmin, Valery | Priputnev, Pavel | Konev, Vladimir | Maltsev, Sergei | Romanchenko, Ilya V | Prudaev, Ilya A.

    Source: 2020 7th International Congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2020), Tomsk, Russia, September 14 – 26, 2020 : proceedingsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Avalanche delay and dynamic triggering in gaas-based s-diodes doped with deep level impurity I. A. Prudaev, S. N. Vainshtein, M. G. Verkholetov [et al.]

    by Prudaev, Ilya A | Vainshtein, Sergey N | Verkholetov, Maksim G | Oleinik, Vladimir L | Kopyev, Viktor V.

    Source: IEEE transactions on electron devicesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Верхолетов Максим Георгиевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2022Availability: No items available :
    10.
    S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов В. Л. Олейник, И. А. Прудаев, В. В. Копьев [и др.]

    by Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Курасова, Анна Сергеевна | Гущин, Сергей Михайлович.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королева, О. П. Толбанов

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Королева, Анастасия Дмитриевна | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода В. В. Копьев, И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, М. С. Скакунов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович | Скакунов, Максим Сергеевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :