Normal view
MARC view
Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами Р. А. Гальченко
Material type:
ArticleSubject(s): лавинные S-диоды | GaAs-диоды | время задержки | примесные центрыGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г С. 216-218
No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.