Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 14 results.

    1.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография] Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]

    by Филонов, Николай Григорьевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет | Томский государственный педагогический университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2018Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Светодиоды Фред Е. Шуберт ; пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича

    by Шуберт, Фред Е | Юнович, А. Э [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Физматлит 2008Other title: Light - emitting diodes.Availability: No items available :
    3.
    Некоторые вопросы экспериментальной и теоретической физики [сборник статей] Акад. наук АзССР, Ин-т физики ; ред. Г. Б. Абдуллаев, Т. Г. Керимова

    by Абдуллаев, Гасан Мамед Багир оглы [edt] | Керимова, Т. Г [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Баку Элм 1977Availability: No items available :
    4.
    Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника [сборник работ] под ред. Э. И. Адировича ; Акад. наук УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

    by Адирович, Эммануил Ильич [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Ташкент ФАН 1972Other title: Оптоэлектроника.Availability: No items available :
    5.
    Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман ; под ред. М. С. Саидова ; Акад. наук УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

    by Карагеоргий-Алкалаев, Павел Михайлович | Лейдерман, Ада Юльевна | Саидов, М. С [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Audience: Specialized; Publication details: Ташкент ФАН 1981Availability: No items available :
    6.
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович | Торхов, Николай Анатольевич | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Радиоэлектроника. Лекции Электронный ресурс учебно-методический комплекс : [для студентов вузов по направлениям 03.03.03 "Радиофизика", 11.05.01 "Радиоэлектронные системы и комплексы"] А. С. Майдановский ; Том. гос. ун-т

    by Майдановский, Артур Сергеевич, 1931-2020 | Томский государственный университет.

    Material type: Computer file Computer file; Format: electronic available online remote Publication details: Томск Томский государственный университет 2018Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Влияние термоакцепторов на электрофизические характеристики диффузионных, высокоомных слоев GaA:Cr Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    13.
    Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями В. И. Гаман, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Фукс, Г. М.

    Source: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs Д. Л. Будницкий, А. В. Тяжев, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Тяжев, Антон Владимирович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :