Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn В. А. Тимофеев, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров и др.
Material type:
ArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | эпитаксиальные пленки | гетероструктуры | тонкие пленки | германийGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 7. С. 81-85Abstract: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150–350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0.86 % в пленке
Ge при росте структуры Ge/Ge0.9Sn0.1/Si.
Библиогр.: 14 назв.
Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150–350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0.86 % в пленке
Ge при росте структуры Ge/Ge0.9Sn0.1/Si.
There are no comments on this title.