Normal view
MARC view
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции Том. гос. ун-т,
Material type:
SetVolumes: Show volumesPublication details: Томск [Том. гос. ун-т] 2006Description: 571, [1] с. илOther title: Ninth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006" [Parallel title]Subject(s): арсенид галлия | эпитаксиальные слои | полупроводниковые материалы | полупроводниковые приборы | полупроводниковые структуры многослойные | полупроводниковые структуры низкоразмерные | физика поверхности | эпитаксиальные пленки | монокристаллы | микроструктуры | наноструктуры | рост кристаллов | дефекты кристаллов | фазовые превращения | гетеропереходы | полупроводниковые гетероструктуры | тонкие пленки | сверхрешетки полупроводниковые | квантовые ямы | нанооболочки | гетеронаноструктуры | нанотрубки однослойные | твердотельные электронные устройства | оптоэлектронные приборы | детекторы излучений | полупроводниковые сенсоры | радиационное модифицирование полупроводников | радиационное легирование полупроводниковGenre/Form: сборники Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-944167к (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000554683 |
Библиогр. в конце докл.
There are no comments on this title.