Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
Material type:
ArticleOther title: Admittance of MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe ( x = 0.22-0.23) in a wide temperature range [Parallel title]Subject(s): МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | подложки | адмиттанс | варизонные слоиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Успехи прикладной физики Т. 5, № 1. С. 54-62Abstract: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe ( x = 0,22-0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структуры на основе p-HgCdTe, легированного As, ограничено процессами туннельной генерации в диапазоне температур 8-100 К. Для МДП-структур на основе пленки p-HgCdTe, в которой произошла конверсия типа проводимости после отжига, сопротивление области пространственного заряда определяется генерацией Шокли-Рида в диапазоне температур 50-77 К.
Библиогр.: 20 назв.
Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe ( x = 0,22-0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структуры на основе p-HgCdTe, легированного As, ограничено процессами туннельной генерации в диапазоне температур 8-100 К. Для МДП-структур на основе пленки p-HgCdTe, в которой произошла конверсия типа проводимости после отжига, сопротивление области пространственного заряда определяется генерацией Шокли-Рида в диапазоне температур 50-77 К.
There are no comments on this title.