Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
Material type:
ArticleOther title: Impact of the near-surface graded-gap layers on the admittance of mis structures based on mbe n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) within the temperature range of 9...77 K [Parallel title]Subject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | адмиттанс | варизонные слои | МДП-структуры | приповерхностные слоиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Нано- и микросистемная техника Т. 19, № 1. С. 3-20Abstract: Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне температур и частот. Установлено, что создание варизонного слоя приводит к увеличению гистерезиса электрических характеристик, изменению вида вольт-фарадных характеристик, увеличению времени перезарядки поверхностных состояний.
Библиогр.: 49 назв.
Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне температур и частот. Установлено, что создание варизонного слоя приводит к увеличению гистерезиса электрических характеристик, изменению вида вольт-фарадных характеристик, увеличению времени перезарядки поверхностных состояний.
There are no comments on this title.