E-catalog        

Библиогр.: 31 назв.

В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами для обратного контакта (Au, Al, In, Ag). Концентрация дырок в органической пленке пентацена, найденная из вольт-фарадных характеристик, принимала достаточно большие значения (в диапазоне (4–40)⋅1017 см-3). Величина гистерезиса электрофизических характеристик оказалась минимальной для структур с обратными контактами из Ag и In. Для структур с обратными контактами из Au и Al при 300 К обнаружен значительный гистерезис. Для структуры с обратным контактом из Al при прямой развертке напряжения в режиме слабого обогащения наблюдался максимум емкости, который может быть связан с перезарядкой уровня поверхностных состояний на границе раздела между неорганическим диэлектриком и пентаценом. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе пентацена, позволяющая рассчитать частотные зависимости импеданса в различных условиях. Найдены значения элементов эквивалентной схемы при различных смещениях и температурах. Для структур с обратными контактами из Au и Ag обнаружены максимумы на температурной зависимости проводимости, связанные с перезарядкой объемных ловушек в органической пленке пентацена.