Normal view
MARC view
Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 (Record no. 721135)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 04273nab a2200433 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000721135 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240528170338.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 211110|2021 ru s c rus d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.17223/00213411/64/7/96 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000721135 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 |
| Ответственность | А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами для обратного контакта (Au, Al, In, Ag). Концентрация дырок в органической пленке пентацена, найденная из вольт-фарадных характеристик, принимала достаточно большие значения (в диапазоне (4–40)⋅1017 см-3). Величина гистерезиса электрофизических характеристик оказалась минимальной для структур с обратными контактами из Ag и In. Для структур с обратными контактами из Au и Al при 300 К обнаружен значительный гистерезис. Для структуры с обратным контактом из Al при прямой развертке напряжения в режиме слабого обогащения наблюдался максимум емкости, который может быть связан с перезарядкой уровня поверхностных состояний на границе раздела между неорганическим диэлектриком и пентаценом. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе пентацена, позволяющая рассчитать частотные зависимости импеданса в различных условиях. Найдены значения элементов эквивалентной схемы при различных смещениях и температурах. Для структур с обратными контактами из Au и Ag обнаружены максимумы на температурной зависимости проводимости, связанные с перезарядкой объемных ловушек в органической пленке пентацена. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | органические полупроводники |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | пентацен |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адмиттанс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | импеданс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эквивалентные схемы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | гистерезис |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | объемные ловушки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | диоксид кремния |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | оксид алюминия |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
| 9 (RLIN) | 64789 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Несмелов, Сергей Николаевич |
| 9 (RLIN) | 65140 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Дзядух, Станислав Михайлович |
| 9 (RLIN) | 80402 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Копылова, Татьяна Николаевна |
| 9 (RLIN) | 61303 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Дегтяренко, Константин Михайлович |
| 9 (RLIN) | 71070 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 64, № 7. С. 96-102 |
| ISSN | 0021-3411 |
| Контрольный № источника | 0026-80960 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721135">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721135</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 721135 |
No items available.