Normal view
MARC view
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук В. М. Лупин ; науч. рук. Рамазанов П. Е. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1974Description: 132 л. илSubject(s): диссертации | гетероструктуры | гетеропереходы CdS-GaAs | электрические свойства гетеропереходов | фотоэлектрические свойства гетеропереходов | эпитаксиальные пленки | сульфид кадмия | арсенид галлия | полупроводниковые материалы | фотоприемники на гетеропереходахGenre/Form: диссертации Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-017690 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000885057 |
Библиогр.: л. 124 - 132
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.