Normal view
MARC view
Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ) В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | сложные полупроводниковые системы | тройные полупроводниковые соединения | облучение электронами | облучение протонами | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 373-375No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.