Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы
  • Your search returned 37 results.

    1.
    Характеризация радиационных эффектов в арсениде галлия В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Локальная электролинейность и электрические свойства облученных нитридов A3N В. Н. Брудный, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 1 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    ЦФИЭО "Физика и технология полупроводниковых низкоразмерных структур" (опыт работы) В.Н. Брудный, О.П. Пчеляков

    by Брудный, Валентин Натанович | Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Интеграция учебного процесса и фундаментальных исследований в университетах: инновационные стратегии и технологии: Материалы Всероссийской научно-практической конференции, 20-21 апреля 2000 годаMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Электронная структура и оптические спектры Si с квантовыми тосками Ge В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 1 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Радиационное модифицирование и легирование химическими примесями как процессы самокомпенсации в полупроводниках В. Н. Брудный, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Тонкопленочный III-V полупроводниковый 3-D сенсор магнитного поля И. А. Большакова, В. Н. Брудный, Р. Л. Голяка и др.

    by Большакова, И. А | Брудный, Валентин Натанович | Голяка, Р. Л.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Радиационные эффекты в полупроводниках В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий

    by Брудный, Валентин Натанович | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Журнал экспериментальной и теоретической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский

    by Брудный, Валентин Натанович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный

    by Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами Н В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx) Se, GaSe1-x(Sx,Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Саркисов Сергей Юрьевич ; науч. рук. Брудный В. Н. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова Том. гос. ун-та

    by Саркисов, Сергей Юрьевич | Брудный, Валентин Натанович [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2010Availability: Items available for loan: (1).
    18.
    Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 К. С. Титов, В. Н. Брудный

    by Титов, Константин Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП" Том. гос. ун-т, Сибир. физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова ; ред. Брудный В. Н. , Юрченко В. И.

    by "Арсенид галлия" " GaAs-99", конференция 7 1999 Томск | Брудный, Валентин Натанович [ред.] | Юрченко, Василий Иванович [ред.] | Томский государственный университет.

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 1999Availability: Items available for loan: (1).
    20.
    Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий

    by Брудный, Валентин Натанович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич | Колин, Николай Георгиевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT А. Г. Афонин, В. Н. Брудный, П. А. Брудный, Л. Э. Великовский

    by Брудный, Валентин Натанович | Брудный, Павел Александрович | Великовский, Леонид Эдуардович | Афонин, Антон Геннадьевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    23.
    Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    24.
    Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович | Сим, Павел Евгеньевич | Брудный, Павел Александрович | Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    25.
    Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Е. В. Вавилин

    by Саркисов, Сергей Юрьевич | Брудный, Валентин Натанович | Вавилин, Евгений Валерьевич | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Фундаментальные проблемы современного материаловеденияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    26.
    Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Ю. Н. Журавлев

    by Саркисов, Сергей Юрьевич | Брудный, Валентин Натанович | Журавлев, Юрий Николаевич физик | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра полупроводников.

    Source: Физика твердого телаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    27.
    Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облучения С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Н. Я. Каргин

    by Кособуцкий, Алексей Владимирович | Брудный, Валентин Натанович | Каргин, Николай Яковлевич | Саркисов, Сергей Юрьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Обухов Сергей Владимирович ; науч. рук. Тютерев В. Г., Брудный В. Н. ; Том. гос. пед. ун-т, Том. гос. ун-т, Том. политехн. ун-т

    by Обухов, Сергей Владимирович | Тютерев, Валерий Григорьевич [ths] | Брудный, Валентин Натанович [ths] | Томский государственный педагогический университет | Томский государственный университет | Томский политехнический университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2015Availability: Items available for loan: (1).
    29.
    Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др.

    by Бойко, В. М | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    31.
    Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др.

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, Анатолий Васильевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Н. Б | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    32.
    Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Электронная промышленностьMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    33.
    Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан и др.

    by Горлачук, Павел Владимирович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Брудный, Валентин Натанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    36.
    Воспоминание о будущем В. М. Кузнецов

    by Кузнецов, Владимир Михайлович физик.

    Source: Физики о физике и физиках : сборник статейMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Вклад уроженцев Украины в томскую науку М. Я. Худобец

    by Худобец, Михаил Яковлевич.

    Source: Документ, музейный экспонат, нарратив, письменный источник в культурном трансфере Сибирь - Украина : материалы Всероссийской научной конференции с международным участием, 21-24 ноября 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :