Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 12 results.

    1.
    No cover image available
    Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002 .1-4 октября 2002 г. материалы конференции Том. гос. ун-т

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск.

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 2002Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Симметрия нормальных колебаний соединений типа A2₃ B⁵₂ Т. П. Кириенко

    by Кириенко, Т. П.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Интенсивная критическая эмиссия 2D-электронов из диэлектрика в вакуум, индуцированная инжекцией наносекундного пучка в образец Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов

    by Вайсбурд, Давид Израйлевич, 1937-2009 | Евдокимов, Кирилл Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Structure of the CdxZn1-xTe solid solution - the material for photoelectronics G. S. Yurjev, S. F. Marenrin, V. N. Gus'kov, A. M. Natarovsky

    by Yurjev, G. S | Marenrin, S. F | Gus'kov, V. N | Natarovsky, A. M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs А. В. Скипер, Н. Б. Матвеева, В. В. Парамонов, А. А. Матяш

    by Скипер, А. В | Матвеева, Н. Б | Парамонов, В. В | Матяш, А. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Монолитная матрица излучателей на основе гетероструктур GaAlAs А. В. Скипер, Н. Б. Матвеева, В. В. Парамонов, В. Н. Сведе-Швец

    by Скипер, А. В | Матвеева, Н. Б | Парамонов, В. В | Сведе-Швец, В. Н.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    New approaches towards the creating of strong fields by means of permanent magnets and towards the development of sensor devices for their mapping M. Kumada, I. Bolshakova, R. Holyaka,

    by Kumada, M | Bolshakova, I | Holyaka, R.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ М. Ф. Филатов, Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Филатов, Михаил Федорович | Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2 В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев

    by Воеводин, Валерий Георгиевич | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    11.
    No cover image available
    Расчет спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных варизонных пленок КРТ Н. В. Нестерович

    by Нестерович, Н. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    12.
    No cover image available
    Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ) В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Потапов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart