Normal view
MARC view
Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | ионно-легированные слои | арсенид галлия | кремний | имплантация ионов | радиационный отжиг | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 253-255No physical items for this record
Библиогр.: 8 назв.
There are no comments on this title.