Normal view
MARC view
Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига (Record no. 722117)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 01800naa a2200349 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000722117 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240603171608.0 |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 211124s2002 ru f 100 0 rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000722117 |
| 039 ## - История создания и изменения записи | |
| Создание записи | 26 |
| Последнее изменение записи | 100 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| 9 (RLIN) | 165529 |
| Ф.И.О. | Ардышев, Михаил Вячеславович |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига |
| Ответственность | М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | физика полупроводников |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводники |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые приборы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | ионно-легированные слои |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремний |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | имплантация ионов |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | радиационный отжиг |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | экспериментальные исследования |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые материалы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | труды ученых ТГУ |
| 700 1# - Другие авторы | |
| 9 (RLIN) | 165529 |
| Другие авторы | Ардышев, Михаил Вячеславович |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Пичугин, Владимир Федорович |
| 9 (RLIN) | 363880 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции |
| Место и дата издания | Томск, 2002 |
| Прочая информация | С. 253-255 |
| Контрольный № источника | 0183-75860 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| Код страны | ru |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 942 ## - Дополнительные данные (Коха) | |
| Код системы классификации для розстановки фонда | |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 722117 |
No items available.