Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский
Material type:
ArticleOther title: Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system [Parallel title]Subject(s): квантовые точки | кремний | германий | олово | наногетероструктуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | Странского-Крастанова переход | критическая толщинаGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов С. 257-260Abstract: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в этой системе предлагается теоретическая модель, основанная на общей теории нуклеации островков, учитывающая зависимости модуля упругости, рассогласования решеток и удельной поверхностной энергии боковых граней от состава х, а также изменение коэффициента диффузии адатомов в присутствии олова.
Библиогр.: 18 назв.
В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в этой системе предлагается теоретическая модель, основанная на общей теории нуклеации островков, учитывающая зависимости модуля упругости, рассогласования решеток и удельной поверхностной энергии боковых граней от состава х, а также изменение коэффициента диффузии адатомов в присутствии олова.
There are no comments on this title.