Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Your search returned 5 results.

1.
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
2.
Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V.

Source: NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
3.
Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii

by Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Voytsekhovskiy, Alexander V.

Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
4.
Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V.

Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
5.
Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system.Online access: Click here to access online Availability: No items available :