Normal view
MARC view
Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые структуры | дифракция быстрых электронов | арсенид галлия | компьютерное моделирование | молекулярно-лучевая эпитаксия | осцилляции зеркального рефлекса | матрица рассеяния | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | формализм матрицы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 208-210No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.