Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 9 results.

    1.
    Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of barrier contacts on carrier transport in homogeneous gaas structures doped with deep Cr and EL2 centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

    by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Неорганические материалыMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2 С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, И. А. Прудаев и др.

    by Новиков, Владимир Александрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна | Будницкий, Давыд Львович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Вишникина, Вера Валерьевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :