Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): арсенид галлия | нанокластеры | магнитные полупроводники | Кюри температура | экспериментальные исследованияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 1. С. 56-66Abstract: Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники.
Библиогр.: 90 назв.
Ограниченный доступ
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники.
There are no comments on this title.