Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 (Record no. 997660)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02852nab a2200373 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha000997660
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20240418220001.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 230306|2023 ru s c rus d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.17223/00213411/66/1/56
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha000997660
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Ответственность С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 90 назв.
506 ## - Ограничения на доступ к материалу
Ограничения доступа Ограниченный доступ
520 3# - Аннотация
Аннотация Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включениями нанокластеров обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри 350–360 К, что значительно выше, чем у разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs, содержащего однородно распределенные атомы марганца. Ферромагнитные свойства таких структур обусловлены включениями нанокластеров MnAs в матрице GaAs. Показано, что GaMnAs с включениями MnAs является перспективным материалом для изготовления устройств спинтроники.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова арсенид галлия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова нанокластеры
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова магнитные полупроводники
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Кюри температура
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова экспериментальные исследования
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Хлудков, Станислав Степанович
9 (RLIN) 80218
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Прудаев, Илья Анатольевич
9 (RLIN) 81475
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Толбанов, Олег Петрович
9 (RLIN) 67379
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Ивонин, Иван Варфоломеевич
9 (RLIN) 65675
773 0# - Источник информации
Название источника Известия высших учебных заведений. Физика
Место и дата издания 2023
Прочая информация Т. 66, № 1. С. 56-66
ISSN 0021-3411
Контрольный № источника 0026-80960
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997660">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997660</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 997660

No items available.