Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.] by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич.
Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: 
Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
