Normal view
MARC view
Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | гетероструктуры | арсенид галлия | Шоттки барьер | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 259-261No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.