Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 5 results.

    1.
    No cover image available
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович | Торхов, Николай Анатольевич | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография] Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]

    by Филонов, Николай Григорьевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет | Томский государственный педагогический университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2018Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart