Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.
Material type:
ArticleOther title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr [Parallel title]Subject(s): детекторы | сенсоры | арсенид галлия | Шоттки барьер | вольт-амперные характеристики | температурные зависимостиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 128-131Abstract: Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электронно-лучевого напыления были сформированы контакты Cr/Ni. Исследуемые образцы, таким образом, имели следующую структуру: Ni/Cr-GaAs:Cr-Cr/Ni. Измерения проводились при изменении температуры от 23 до 70 °C. Полученные ВАХ хорошо описываются термоэмиссионной моделью токопереноса. На основе экспериментальных зависимостей сделан вывод о величине барьера Шоттки исследуемых образцов.
Библиогр.: 2 назв.
Представлен детальный анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (GaAs:Cr). На поверхности GaAs:Cr методом электронно-лучевого напыления были сформированы контакты Cr/Ni. Исследуемые образцы, таким образом, имели следующую структуру: Ni/Cr-GaAs:Cr-Cr/Ni. Измерения проводились при изменении температуры от 23 до 70 °C. Полученные ВАХ хорошо описываются термоэмиссионной моделью токопереноса. На основе экспериментальных зависимостей сделан вывод о величине барьера Шоттки исследуемых образцов.
There are no comments on this title.