Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): МДП-структуры | теллурид кадмия-ртути | варизонные слои | барьерные областиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 3. С. 3-9Abstract: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe с резкими неоднородностями по составу («барьеры») и без «барьеров». Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают «барьерные области», расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик – полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.
Библиогр.: 14 назв.
Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe с резкими неоднородностями по составу («барьеры») и без «барьеров». Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают «барьерные области», расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик – полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава.
There are no comments on this title.