Normal view
MARC view
Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу (Record no. 1133474)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03543nab a2200373 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha001133474 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240607173423.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 240416|2011 ru s c rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha001133474 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу |
| Ответственность | А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe с резкими неоднородностями по составу («барьеры») и без «барьеров». Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают «барьерные области», расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик – полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | варизонные слои |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | барьерные области |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 957939 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
| 9 (RLIN) | 64789 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Несмелов, Сергей Николаевич |
| 9 (RLIN) | 65140 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Дзядух, Станислав Михайлович |
| 9 (RLIN) | 80402 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Варавин, Василий Семенович |
| 9 (RLIN) | 90984 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Дворецкий, Сергей Алексеевич |
| 9 (RLIN) | 90983 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Михайлов, Николай Николаевич |
| Титул (звание) | физик |
| 9 (RLIN) | 90964 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Сидоров, Юрий Георгиевич |
| 9 (RLIN) | 149876 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
| Место и дата издания | 2011 |
| Прочая информация | Т. 54, № 3. С. 3-9 |
| ISSN | 0021-3411 |
| Контрольный № источника | 0026-80960 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 1133474 |
No items available.