Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Investigation of characteristics of MIS structures based on MBE n-HgCdTe NBvN barrier structures by admittance spectroscopy [Parallel title]Subject(s): МДП-структуры | адмиттанс | HgCdTe | молекулярно-лучевая эпитаксия | барьерная структура | nBn-структурыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Прикладная физика № 4. С. 40-45Abstract: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разработки на их основе инфракрасных (ИК) детекторов с пониженными темновыми токами для MWIR и LWIR спектральных областей. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследовано 7 типов МДП-структур. Показано, что измерения частотных зависимостей адмиттанса МДП-приборов позволяют точно определить дифференциальное сопротивление барьерной структуры. Установлено, что для одной из исследованных структур дифференциальное сопротивление определяется объемной компонентой темнового тока, а компонента поверхностной утечки не оказывает существенного влияния на измеряемый адмиттанс. Показано, что в случае решения проблемы пассивации мезаструктур возможно изготовление эффективных MWIR и LWIR nBn, NBvN-детекторов на основе МЛЭ HgCdTe с высокими пороговыми параметрами.
Библиогр.: 10 назв.
Ограниченный доступ
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разработки на их основе инфракрасных (ИК) детекторов с пониженными темновыми токами для MWIR и LWIR спектральных областей. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследовано 7 типов МДП-структур. Показано, что измерения частотных зависимостей адмиттанса МДП-приборов позволяют точно определить дифференциальное сопротивление барьерной структуры. Установлено, что для одной из исследованных структур дифференциальное сопротивление определяется объемной компонентой темнового тока, а компонента поверхностной утечки не оказывает существенного влияния на измеряемый адмиттанс. Показано, что в случае решения проблемы пассивации мезаструктур возможно изготовление эффективных MWIR и LWIR nBn, NBvN-детекторов на основе МЛЭ HgCdTe с высокими пороговыми параметрами.
There are no comments on this title.