Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

By: Voytsekhovskiy, Alexander VContributor(s): Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИMaterial type: ArticleArticleOther title: Вольт-фарадные характеристики CdHgTe МДП-структур с одиночными квантовыми ямами на основе HgTe [Parallel title]Subject(s): МДП-структуры | узкозонные полупроводники | квантовые ямы | физика полупроводников | кадмиевый теллурид ртути | адмиттансGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 Т. 2. С. 735-736
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 6 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share