Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 73 results.

    51.
    Влияние условий осаждения LP CVD Sio2 на ЭФП МДП-структур на основе InAs С. Ф. Девятова, Л. А. Семенова, А. В. Медведев, З. В. Панова

    by Девятова, Светлана Федоровна | Семенова, Л. А | Медведев, А. В | Панова, Зоя Васильевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    52.
    Электронные свойства полупроводниковых соединений III-V группы Д. В. Ханин, С. Е. Кулькова

    by Ханин, Даниил Владимирович | Кулькова, Светлана Евгеньевна.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    53.
    Элементарные процессы роста при газофазовой эпитаксии полупроводниковых соединений III-V И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 1 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    54.
    Границы раздела фаз, новые материалы и методики аналитического контроля Г. М. Мокроусов

    by Мокроусов, Геннадий Михайлович.

    Source: Химики ТГУ на пороге третьего тысячелетия. Вопросы химии и химического материаловедения: Сборник статейMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    55.
    Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов Д. Литвинов [и др.]

    by Любас, Г. А | Леденцов, Николай Николаевич | Литвтнов, Д.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    56.
    Фазовые превращения в твердых телах при высоком давлении В. Д. Бланк, Э. И. Эстрин

    by Бланк, Владимир Давыдович | Эстрин, Эммануил Исаакович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Физматлит 2011Availability: No items available :
    57.
    Зависимость скорости роста кристаллов типа AIIBIVCV2 от кристаллографического направления растущей плоскости А. Г. Михасенко

    by Михасенко, Антон Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    58.
    Влияние кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InAlAs А. В. Бакулин, А. А. Фукс, М. С. Аксенов [и др.]

    by Фукс, Артем Андреевич | Аксенов, Максим Сергеевич | Валишева, Наталья Александровна | Кулькова, Светлана Евгеньевна | Бакулин, Александр Викторович.

    Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    59.
    Особенности формирования DX-центров примесями S и Si в InGaP "переходного" диапазона составов Ю. К. Крутоголов, В. Л. Крюков, Ю. И. Кунакин [и др.]

    by Крутоголов, Ю. К | Крюков, Виталий Лукич | Кунакин, Ю. И | Матяш, А. А | Горбунов, Александр Константинович доктор физ.-мат. наук.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    60.
    Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5 К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    61.
    Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    62.
    Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    63.
    Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    64.
    Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме Б. Л. Агапов, И. Н. Арсентьев, Н. Н. Безрядин [и др.]

    by Агапов, Борис Львович | Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    65.
    Компенсацилнные соотношения при диффузии в полупроводниковых соединениях AIIIBV О. Л. Кухто, В. М. Бойко, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Бойко, В. М | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    66.
    Исследования роста крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 для параметрических генераторов света К. С. Титов, В. Е. Гинсар, А. И. Грибенюков

    by Титов, Константин Сергеевич | Гинсар, Виктор Евгеньевич | Грибенюков, Александр Иванович.

    Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    67.
    Исследование дефектов структуры в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 К. С. Титов

    by Титов, Константин Сергеевич.

    Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    68.
    Физические свойства твердых растворов InxAl1-xN В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский

    by Брудный, Валентин Натанович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Великовский, Леонид Эдуардович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    69.
    Состав и строение межфазных границ на полупроводниках типа AIIIBV, формирующихся в жидкой среде О. Н. Зарубина, Г. М. Мокроусов, Е. П. Найден

    by Зарубина, Оксана Николаевна | Мокроусов, Геннадий Михайлович | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 | Томский государственный университет Химический факультет Научные подразделения ХФ | Томский государственный университет Химический факультет Кафедра аналитической химии | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    70.
    О начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V Ю. Ю. Эрвье

    by Эрвье, Юрий Юрьевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    71.
    Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs Д. В. Дмитриев, Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров [и др.]

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    72.
    Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    73.
    Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ) В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Потапов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :