Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 151 results.

    51.
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    52.
    Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe M. Pociask-Bialy, I. Izhnin, A. Voitsekhovskii [et.al.]

    by Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Izhnin, Igor I.

    Source: EPJ Web of ConferencesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    53.
    Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb Е. Р. Бурмистров, М. М. Афанасова

    by Бурмистров, Евгений Романович | Афанасова, Марина Михайловна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    54.
    Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики В. Л. Олейник, И. А. Прудаев

    by Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Influence of the active region structure of AlGaInP LED on low-temperature current-voltage characteristics.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    55.
    Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN В. В. Копьев, И. С. Романов, И. А. Прудаев

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Application of short-period superlattices in InGaN/GaN light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    56.
    Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке И. А. Прудаев, И. С. Романов, Вад. А. Новиков и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    57.
    Релятивистские поправки в теории наноструктур Г. Ф. Караваев

    by Караваев, Геннадий Федорович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    58.
    Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции И. А. Прудаев, И. С. Романов, В. В. Копьев и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    59.
    Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN В. П. Гермогенов, Ю. Л. Зубрилкина, О. В. Исупова и др.

    by Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Исупова, Ольга Владимировна | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Гермогенов, Валерий Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    60.
    Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Advanced Materials ResearchMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    61.
    Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe D. I. Gorn, A. V. Voitsekhovskii, S. M. Dzyadukh, S. N. Nesmelov

    by Gorn, Dmitriy Igorevich | Dzyadukh, Stanislav M | Nesmelov, Sergey N | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: International Journal of NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    62.
    Theoretical model for description of single CdHgTe quantum well photoluminescense spectra A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    63.
    Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. V. Rumyantsev [et al.]

    by Dubinov, A. A | Rumyantsev, Vladimir V | Fadeev, Mikhail A | Domnina, O. L | Mikhailov, Nikolay N | Dvoretsky, Sergei A | Teppe, Frederic | Gavrilenko, Vladimir I | Morozov, Sergey V | Aleshkin, V. Ya.

    Source: Journal of physics: Condensed matterMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    64.
    TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek [et al.]

    by Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Y | Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Fitsych, Olena I | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    65.
    Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами А. К. Бакаров, А. А. Быков, А. В. Горан [и др.]

    by Бакаров, Асхат Климович | Быков, Алексей Александрович | Горан, Андрей Васильевич | Деребезов, Илья Александрович | Попова, А. В | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    66.
    Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    67.
    Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Лозовой, Кирилл Александрович.

    Source: Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015) : материалы 3-й международной Школы-семинара молодых ученых "Фотоника нано- и микроструктур" (ФНМС-2015), 7-11 сентября 2015 г., г. ТомскMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    68.
    Методика расчета излучательных характеристик квантовых ям на основе CdxHg1-xTe Д. И. Горн, А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин

    by Горн, Дмитрий Игоревич | Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович.

    Source: Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, ТомскMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    69.
    Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич.

    Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Properties of CdHgTe based nanostructures with quantum wells for photonics.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    70.
    Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик.

    Source: X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Admittance of mis devices based on mercury cadmium telluride with single quantum wells of mercury telluride in the active region.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    71.
    Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др.

    by Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    72.
    Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    73.
    Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами В. Н. Давыдов, А. Н. Лапин, О. Ф. Задорожный

    by Давыдов, Валерий Николаевич | Лапин, Алексей Николаевич | Задорожный, Олег Федорович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    74.
    Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    75.
    76.
    Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content M. A. Pankov, B. A. Aronzon, V.V. Rylkov [et.al.]

    by Aronzon, B. A | Rylkov, V. V | Davydov, A. B | Tugushev, V. V | Caprara, S | Likhachev, I. A | Pashaev, E. M | Chuev, M. A | Lahderanta, E | Vedeneev, A. S | Bugaev, A. S | Pankov, M. A | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: The European physical journal BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    77.
    Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, S. N. Nesmelov [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Fitsych, Olena I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    78.
    Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation I. Prudaev, S. Sarkisov, O. Tolbanov, A. Kosobutsky

    by Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Kosobutsky, Alexey V | Sarkisov, Sergey Yu | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physica status solidi BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    79.
    Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. A. Fadeev [et al.]

    by Rumyantsev, Vladimir V | Razova, Anna A | Fadeev, Mikhail A | Utochkin, Vladimir V | Mikhailov, Nikolay N | Dvoretsky, Sergei A | Gavrilenko, Vladimir I | Morozov, Sergey V.

    Source: Optical engineeringMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    80.
    Квантовая и оптическая электроника учебное пособие Г. Л. Киселев

    by Киселев, Геннадий Леонидович.

    Series: Учебники для вузовEdition: Изд. 2-е, испр. и доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: Санкт-Петербург [и др.] Лань 2011Online access: ЭБС Лань Доступ к полному тексту документа после регистрации пользователя на сайте http://e.lanbook.com/ в локальной сети ТГУ Availability: No items available :
    81.
    Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, И. С. Романов и др.

    by Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    82.
    Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса П. А. Брудный

    by Брудный, Павел Александрович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of quantum wells in LED structures based on AlGaInP solid solution by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    83.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    84.
    Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN Ю. Л. Зубрилкина, И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, С. Б. Ширапов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович | Ширапов, Сергей Баирович | Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    85.
    Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Syvorotka, I. I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Izhnin, Igor I.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    86.
    Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда Д. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.]

    by Гуляев, Дмитрий Владимирович | Гилинский, Александр Михайлович | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович | Журавлев, Константин Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    87.
    Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    88.
    Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons T. S. Shamirzaev, V. V. Atuchin, V. E. Zhilitskiy, A. Yu. Gornov

    by Shamirzaev, Timur S | Atuchin, Victor V | Zhilitskiy, Vladimir E | Gornov, Alexander Yu.

    Source: NanomaterialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    89.
    Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    90.
    Введение в нанотехнологии и наноэлектронику учебное пособие : [для студентов телекоммуникационных и радиотехнических специальностей] В. А. Галочкин

    by Галочкин, Владимир Андреевич.

    Edition: 2-е изд.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Москва [и др.] Инфра-Инженерия 2023Availability: No items available :
    91.
    Влияние эффектов самополяризации и экситон-фононного взаимодействия на энергию экситона в нанопленках дииодида свинца В. М. Крамарь, Е. В. Пуганцева

    by Крамарь, Валерий Максимович | Пуганцева, Елена Валерьевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    92.
    Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами В. Н. Давыдов, О. Ф. Задорожный

    by Давыдов, Валерий Николаевич | Задорожный, Олег Федорович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    93.
    Пиро- и пьезокоэффициенты структуры множественных квантовых ям В. Н. Давыдов

    by Давыдов, Валерий Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    94.
    Рассеяние квазидвумерных электронов на фононах в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs С. И. Борисенко

    by Борисенко, Сергей Иванович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    95.
    Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Тийс, Сергей Александрович | Гутаковский, Антон Константинович | Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Никифоров, Александр Иванович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    96.
    Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

    by Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    97.
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    98.
    Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    99.
    Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов Е. Ю. Ломов

    by Ломов, Евгений Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    100.
    Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP Д. В. Бессонов, В. Л. Олейник

    by Бессонов, Дмитрий Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :