Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    251.
    The processing of wastes of device production on base gallium of arsenide V. E. Saraeva, L. S. Datsko, G. M. Mokrousov

    by Saraeva, V. E | Datsko, L. S | Mokrousov, Gennady M.

    Source: Fundamental and applied problems of environmental protection. Vol. 3 : International conference, September, 12-16, 1995, Tomsk : abstractsMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    252.
    Переработка отходов приборного производства на основе арсенида галлия В. Б. Сараева, Л. С. Дацко, Г. М. Мокроусов

    by Сараева, В. Б | Дацко, Л. С | Мокроусов, Геннадий Михайлович.

    Source: Фундаментальные и прикладные проблемы охраны окружающей среды. Т. 3 : тезисы докладов международной конференции, 12-16 сентября 1995 г., г. ТомскMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    253.
    Становление и развитие лаборатории физики полупроводников С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    254.
    Физико-химические аспекты электронного материаловедения Г. М. Мокроусов

    by Мокроусов, Геннадий Михайлович | Томский государственный университет Химический факультет Кафедра аналитической химии.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    255.
    Термодинамика антиструктурных дефектов в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    256.
    Исследование спектров оптического поглощения эпитаксиальных слоев твердого раствора In0.53 Ga0.47As В. П. Гермогенов, Л. С. Хлудкова

    by Гермогенов, Валерий Петрович | Хлудкова, Людмила Станиславовна.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    257.
    Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов Д. Литвинов [и др.]

    by Любас, Г. А | Леденцов, Николай Николаевич | Литвтнов, Д.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    258.
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    259.
    Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    260.
    Characterization of chromium compensated gaas sensors with the charge-integrating JUNGFRAU readout chip by means of a highly collimated pencil beam D. Greiffenberg, M. Andrä, R. Barten [et al.]

    by Greiffenberg, Dominic | Andrä, Marie | Barten, Rebecca | Bergamaschi, Anna | Brückner, Martin | Busca, Paolo | Chiriotti, Sabina | Chsherbakov, Ivan | Dinapoli, Roberto | Fajardo, Pablo | Fröjdh, Erik | Hasanaj, Shqipe | Kozlowski, Pawel | López-Cuenca, Carlos | Lozinskaya, Anastassiya D | Meyer, Markus | Mezza, Davide | Mozzanica, Aldo | Redford, Sophie | Ruat, Marie | Ruder, Christian | Schmitt, Bernd | Thattil, Dhanya | Tinti, Gemma | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Vetter, Seraphin | Zarubin, Andrei N | Zhang, Jiaguo.

    Source: SensorsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    261.
    Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин ; науч. ред. И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote festschrift ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательство Томского государственного университета 2022Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    262.
    Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Щербаков Иван Дмитриевич ; науч. рук. Толбанов О. П. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Толбанов, Олег Петрович [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2023Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    263.
    Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Петрова Юлианна Сергеевна ; науч. рук. Калыгина В. М. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Петрова, Юлианна Сергеевна | Калыгина, Вера Михайловна [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2022Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    264.
    S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов В. Л. Олейник, И. А. Прудаев, В. В. Копьев [и др.]

    by Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Курасова, Анна Сергеевна | Гущин, Сергей Михайлович.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    265.
    Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, Т. М. Яскевич

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    266.
    Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович | Торхов, Николай Анатольевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    267.
    Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP В. В. Пешев, А. П. Суржиков

    by Пешев, Владимир Викторович | Суржиков, Анатолий Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    268.
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    269.
    Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    270.
    Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич.

    Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    271.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    272.
    Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures V. Kalygina, V. Gaman, I. Prudaev, O. Tolbanov

    by Kalygina, Vera M | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Gaman, V. I.

    Source: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), 3-6, November 2015, Kyoto University, Kyoto, JapanMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    273.
    Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    274.
    275.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом И. Д. Щербаков, А. Д. Лозинская

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    276.
    Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Vasilev, Vladimir V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    277.
    Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков и др.

    by Ли Цзень Фень | Салтымаков, Максим Сергеевич | Гусельников, Виктор Иванович | Макеев, Вячеслав Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 | Юрченко, Василий Иванович | Ремнев, Геннадий Ефимович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра радиоэлектроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    278.
    Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе И. М. Егорова, Ю. С. Петрова, С. Ю. Цупий

    by Егорова, Ирина Максимовна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    279.
    Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения С. Ю. Саркисов, Ф. Д. Сафиуллин, М. С. Скакунов и др.

    by Сафиуллин, Фарит Дигангереевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Назаров, Максим Михайлович | Шкуринов, Александр Павлович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    280.
    Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    281.
    Синтез тонких оксидных слоев на поверхности GaAs термооксидированием в присутствии композиций Sb2O3+V2O5 В. Ф. Кострюков, И. Я. Миттова

    by Кострюков, Виктор Федорович | Миттова, Ирина Яковлевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    282.
    Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др.

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Новиков, Владимир Александрович | Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    283.
    Влияние лазерного отжига на электрические характеристики структур металл-диэлектрик-GaAs Н. О. Глушко, А. В. Панин

    by Глушко, Н. О | Панин, Алексей Викторович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    284.
    Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ И. Ю. Полтавец, И. А. Бобровникова, С. В. Субач

    by Полтавец, И. Ю | Бобровникова, Ирина Анатольевна | Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    285.
    Эволюция электронного химпотенциала в кристаллах GaAs, облученых электронами А. Н. Боровской

    by Боровской, А. Н.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    286.
    Использование релятивистских электронных пучков для отжига GaAs, имплантированного кремнием М. В. Ардышев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    287.
    Исследование полевых зависимостей дрейфовой скорости и дрейфовой длины электронов в компенсированном арсениде галлия А. А. Симолин

    by Симолин, А. А.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    288.
    Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers D. Budnitsky, V. Novikov, A. Lozinskaya [et.al.]

    by Budnitsky, D. L | Lozinskaya, Anastassiya D | Kolesnikova, Irina I | Zarubin, Andrei N | Shemeryankina, A | Mikhailov, T | Skakunov, M. S | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Novikov, Vladimir A.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    289.
    Кинетика и механизм захвата примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торопов Сергей Евгеньевич ; науч. рук. Лаврентьева Л. Г. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Торопов, Сергей Евгеньевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1988Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    290.
    Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия А. Д. Зенкова

    by Зенкова, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    291.
    Исследование распределения напряженности поля в структурах арсенида галлия, легированного хромом, в зависимости от степени легирования Л. А. Васильева

    by Васильева, Людмила Александровна.

    Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    292.
    Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы Ю. И. Веснин

    by Веснин, Юрий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    293.
    Удаление остаточного резиста с поверхности арсенида галлия в кислород- или водоросрдержащих средах Е. В. Анищенко, В. М. Диамант, В. А. Кагадей [и др.]

    by Анищенко, Екатерина Валентиновна | Диамант, В. М | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Оскомов, Константин Владимирович | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    294.
    Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP А. В. Рощанский, Ю. А. Мамаев, Ю. П. Яшин [и др.]

    by Рощанский, А. В | Мамаев, Ю. А | Яшин, Ю. П.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    295.
    Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ А. В. Юрченко, В. М. Зыков, Н. Т. Юнда [и др.]

    by Юрченко, Алексей Васильевич | Зыков, Владимир Михайлович | Юнда, Николай Терентьевич | Бакин, Николай Николаевич | Лошманов, Д. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    296.
    Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Толбанов, Олег Петрович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    297.
    Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam K. Afanaciev, M. Bergholz, D. Mokeev [et.al.]

    by Bergholz, M | Mokeev, D | Novikov, Vladimir A | Bernitt, P | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Afanaciev, K | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    298.
    Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев А. В. Юрченко, А. Р. Шугуров

    by Панин, Алексей Викторович | Шугуров, Артур Рубинович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    299.
    Термодинамический аспект разрушения пластин арсенида галлия при импульсном отжиге С. В. Смирнов

    by Смирнов, Серафим Всеволодович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    300.
    Физические основы метрологии полупроводниковых фотоматериалов и тестирование сложных соединений на основе арсенида галлия А. В. Юрченко, В. И. Юрченко

    by Юрченко, Алексей Васильевич | Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :