Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 347 results.

    201.
    Основы полупроводниковой электроники Н. В. Бурбаева, Т. С. Днепровская

    by Бурбаева, Нина Владимировна | Днепровская, Татьяна Сергеевна.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Физматлит 2012Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    202.
    Физические основы электронной техники [учебник для студентов вузов, обучающихся по специальности "Электронные приборы"] С. А. Фридрихов, С. М. Мовнин

    by Фридрихов, Станислав Антонович | Мовнин, Савелий Михайлович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Москва Высшая школа 1982Availability: No items available :
    203.
    204.
    Электроника учебник для бакалавров : [для студентов вузов, обучающихся по направлению 210300 " Радиотехника"] Г. Г. Шишкин, А. Г. Шишкин ; [Моск. авиац. ин-т ; Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова]

    by Шишкин, Геннадий Георгиевич | Шишкин, Алексей Геннадьевич.

    Series: БакалаврEdition: 2-е изд., испр. и доп.Material type: Text Text; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction Publication details: Москва Юрайт 2014Availability: No items available :
    205.
    Основы электроники И. П. Жеребцов

    by Жеребцов, Иван Петрович.

    Edition: 5-е изд., перераб. и доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Л. Энергоатомиздат 1989Availability: No items available :
    206.
    Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of resistivity uniformity of GaAs:Cr wafers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    207.
    Реферативный журнал. 23. Электроника сводный том Российская акад. наук, Всероссийский ин-т науч. и технической информ. (ВИНИТИ РАН)

    by Российская академия наук | Всероссийский институт научной и технической информации.

    Series: Электроника/ ВИНИТИMaterial type: Continuing resource Continuing resource; Type of continuing resource: periodical Publication details: Москва ВИНИТИ 1989-2009Availability: No items available :
    208.
    209.
    Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [журнал] : Сборник научных трудов Национальная акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева

    Material type: Continuing resource Continuing resource; Format: print ; Type of continuing resource: periodical Publication details: Киев Наукова думка 1982-2012Other title: Optoelectronics and semiconductor technics [журнал].Availability: No items available :
    210.
    Влияние излучений на электрические свойства некоторых полупроводников и р-п-переходов на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук С. В. Малянов ; науч. рук. М. А. Кривов ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбушева

    by Малянов, Станислав Васильевич | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1966Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    211.
    Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    212.
    Электрофизика GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе Э. А. Ильичев, В. И. Егоркин, А. В. Кулаков [и др.]

    by Ильичев, Эдуард Анатольевич | Егоркин, Владимир Ильич | Кулаков, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    213.
    Electric field distribution in chromium compensated GaAs A. Tyazhev, D. Budnitsky, O. P. Tolbanov

    by Tyazhev, Anton V | Budnitsky, D. L | Tolbanov, Oleg P.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    214.
    Детекторы на основе полуизолирующего арсенида галлия для медицинских рентгеновских аппаратов Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, О. Б. Корецкая [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гущин, Сергей Михайлович | Корецкая, Ольга Борисовна | Толбанов, Олег Петрович | Бабичев, Евгений Анатольевич | Бару, Семен Ефимович | Грошев, Владимир Романович | Савинов, Геннадий Алексеевич | Воробьев, Александр Павлович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    215.
    Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко, О. Г. Шмаков

    by Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    216.
    Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    217.
    Полупроводниковые сенсоры высоких, низких и быстропеременных давлений Е. В. Иванов, Т. И. Изаак, Н. П. Криворотов [и др.]

    by Иванов, Евгений Валерьевич | Изаак, Татьяна Ивановна | Криворотов, Николай Павлович | Ромась, Лариса Михайловна | Свинолупов, Юрий Григорьевич | Щеголь, Сергей Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    218.
    Изделия микромеханики на основе арсенида галлия В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    219.
    Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев, Ф. В. Вьюганов [и др.]

    by Шамирзаев, Тимур Сезгирович | Журавлев, Константин Сергеевич | [Вьюганов, Ф. В.] | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    220.
    Исследование механизмов влияния пространственно неоднородных сильных электрических полей на характеристики диодов Ганна в широком диапазоне отношений поперечного размера на размер в направлении движения домена В. И. Юрченко, В. С. Лукаш

    by Юрченко, Василий Иванович | Лукаш, Виталий Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    221.
    Разработка и исследование методов измерения параметров структур, кристаллов и диодов Ганна, имеющих пространственно неоднородные характеристики с высоким отношением D/L поперечного размера D к продольному L В. И. Юрченко, С. Н. Полисадов, С. В. Литвин, Н. М. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович | Полисадов, С. Н | Литвин, С. В | Юрченко, Н. М.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    222.
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    223.
    Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    224.
    Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов А. А. Емельянов, Д. В. Иванов, В. Г. Чуборев [и др.]

    by Емельянов, Александр Александрович | Иванов, Д. В | Чуборев, В. Г | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    225.
    Симметрия нормальных колебаний соединений типа A2₃ B⁵₂ Т. П. Кириенко

    by Кириенко, Т. П.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    226.
    Structure of the CdxZn1-xTe solid solution - the material for photoelectronics G. S. Yurjev, S. F. Marenrin, V. N. Gus'kov, A. M. Natarovsky

    by Yurjev, G. S | Marenrin, S. F | Gus'kov, V. N | Natarovsky, A. M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    227.
    Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs А. В. Скипер, Н. Б. Матвеева, В. В. Парамонов, А. А. Матяш

    by Скипер, А. В | Матвеева, Н. Б | Парамонов, В. В | Матяш, А. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    228.
    Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения [монография] К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов

    by Таперо, Константин Иванович | Улимов, Виктор Николаевич | Членов, Александр Михайлович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Москва БИНОМ, Лаборатория знаний 2020Availability: No items available :
    229.
    230.
    Научно-исследовательскому институту полупроводниковых приборов 40 лет И. Д. Романова

    by Романова, Инна Денисовна.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    231.
    Исследования температурной зависимости времени формирования инверсионного заряда в МДП-структурах с диэлектриком на основе легкоплавких стекол Л. Г. Лигай

    by Лигай, Л. Г.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    232.
    Кривые ликвидуса и солидуса для GaAs. Определяющее влияние антиструктурных дефектов на стехиометрию GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    233.
    Основы электроники учебное пособие для вузов Марченко А. Л.

    by Марченко А. Л.

    Material type: Text Text; Format: electronic ; Audience: General; Language: Russian Publication details: Москва ДМК Пресс 2010Online access: Click here to access online | Click here to access online Availability: No items available :
    234.
    Моделирование компонентов и элементов интегральных схем Петров М. Н.,Гудков Г. В.

    by Петров М. Н | Гудков Г. В.

    Edition: 2-е изд., стер.Material type: Text Text; Format: electronic ; Audience: General; Language: Russian Publication details: Санкт-Петербург Лань 2021Online access: Click here to access online | Click here to access online Availability: No items available :
    235.
    Интенсивная критическая эмиссия 2D-электронов из диэлектрика в вакуум, индуцированная инжекцией наносекундного пучка в образец Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов

    by Вайсбурд, Давид Израйлевич, 1937-2009 | Евдокимов, Кирилл Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    236.
    Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

    by Смирнов, Р. Н | Асеев, Александр Леонидович, 1946- [edt] | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич.

    Edition: 2-е изд., стер.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Новосибирск Изд-во СО РАН 2007Availability: No items available :
    237.
    Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Пичугин, Владимир Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    238.
    Реферативный журнал. 23А. Электровакуумные и газоразрядные устройства. Раздел 23АБ. Электровакуумные и твердотельные приборы. 23Б. Полупроводниковые приборы Электронный ресурс сводный том Российская акад. наук, Всероссийский ин-т науч. и технической информ. (ВИНИТИ РАН)

    by Российская академия наук | Всероссийский институт научной и технической информации.

    Series: Электровакуумные и газоразрядные устройства / ВИНИТИ | Электровакуумные и твердотельные приборы / ВИНИТИ | Полупроводниковые приборы / ВИНИТИMaterial type: Computer file Computer file; Format: electronic optical disc Publication details: Москва ВИНИТИ 2008-2009Other title: Реферативный журнал. 23АБ. Электровакуумные и твердотельные приборы сводный том | Реферативный журнал. 23Б. Полупроводниковые приборы сводный том.Availability: No items available :
    239.
    Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    240.
    Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова

    by Попова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    241.
    Proton (5 MeV) bombardment of InAs crystals V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov

    by Brudnyi, Valentin N | Kolin, Nikolay G | Potapov, Alexander I.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    242.
    Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Каменская, Ирина Валентиновна | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    243.
    Многоканальные микросхемы первичного преобразования сигнала с рентгеновских чувствительных элементов и приемный модуль на их основе Д. В. Бородин, Ю. В. Осипов, Н. А. Шушкевич [и др.]

    by Бородин, Д. В | Осипов, Ю. В | Шушкевич, Н. А | Лопухин, Алексей Алексеевич | Куликов, В. Б | Аветисян, Г. Х | Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    244.
    Исследование электронных процессов в GaAs детекторах Г. И. Айзенштат, М. Биматов, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    245.
    Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs И. А. Чистоедова, А. Пятова

    by Чистоедова, Инна Анатольевна | Пятова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    246.
    Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ М. Ф. Филатов, Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Филатов, Михаил Федорович | Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    247.
    Монолитная матрица излучателей на основе гетероструктур GaAlAs А. В. Скипер, Н. Б. Матвеева, В. В. Парамонов, В. Н. Сведе-Швец

    by Скипер, А. В | Матвеева, Н. Б | Парамонов, В. В | Сведе-Швец, В. Н.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    248.
    New approaches towards the creating of strong fields by means of permanent magnets and towards the development of sensor devices for their mapping M. Kumada, I. Bolshakova, R. Holyaka,

    by Kumada, M | Bolshakova, I | Holyaka, R.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    249.
    Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN А. Г. Васильев, В. Н. Данилин, Т. А. Жукова и др.

    by Васильев, Андрей Георгиевич | Данилин, В. Н | Жукова, Т. А.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    250.
    Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук

    by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :