Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 9 results.

    1.
    Высокотемпературная кристаллизация из расплава Х. С. Багдасаров

    by Багдасаров, Хачик Саакович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: М. Физматлит 2004Availability: No items available :
    2.
    Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз

    by Логинов, Юрий Юрьевич | Браун, Пол Д | Дьюроуз, Кен.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: М. Логос 2003Availability: No items available :
    3.
    Элементы оптической электроники на основе соединений A2B4C. . . : получение, свойства и применение Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.05; 01.04.10 Воеводин В. Г. ; Сиб. физ. -тех. ин-т им. акад. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те

    by Воеводин, Валерий Георгиевич | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск б. и. 2003Availability: No items available :
    4.
    Growth of GaSe and GaS single crystals K. A. Kokh, Y. M. Andreev, V. A. Svetlichnyi [et.al.]

    by Andreev, Yury M, 1946- | Lanskii, Grigory V | Kokh, Alexander E | Kokh, Konstantin A | Svetlichnyi, Valerii A | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Crystal research and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Оптимальное легирование кристаллов GaSe для нелинейно-оптических применений Ю. М. Андреев, Е. А. Вайтулевич, К. А. Кох и др.

    by Андреев, Юрий Михайлович физик | Вайтулевич, Елена Анатольевна | Кох, Константин Александрович | Ланский, Григорий Владимирович | Лосев, Валерий Федорович | Лубенко, Дмитрий Михайлович | Светличный, Валерий Анатольевич | Солдатов, Анатолий Николаевич | Шайдуко, Анна Валерьевна | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Факультет инновационных технологий Кафедра управления инновациями.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Синтез и расплавный рост кристаллов Ga2S3 методом Бриджмена К. А. Кох, И. Н. Лапин, В. А. Светличный

    by Кох, Константин Александрович | Лапин, Иван Николаевич | Светличный, Валерий Анатольевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XII Международной конференции студентов и молодых ученых, 21-24 апреля 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Synthesis and Bridgman melt growth of Ga2S3 crystals.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Оксидный поверхностный слой и его влияние на функциональные свойства в монокристаллах сплава Ni50,6Ti49,4 И. Д. Фаткуллин, А. С. Ефтифеева

    by Фаткуллин, Илья Дмитриевич | Ефтифеева, Анна Сергеевна.

    Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Characterization of Bridgman grown GaSe:Al crystals J. Guo, J.-J. Xie, L.-M. Zhang [et.al.]

    by Xie, Ji-Jiang | Zhang, Lai-Ming | Li, Dian-Jun | Yang, Gui-Long | Andreev, Yury M, 1946- | Lanskii, Grigory V | Guo, Jin | Svetlichnyi, Valerii A | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: CrystEngCommMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Исследование дефектов структуры в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 К. С. Титов

    by Титов, Константин Сергеевич.

    Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :