Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз

By: Логинов, Юрий ЮрьевичContributor(s): Браун, Пол Д | Дьюроуз, КенMaterial type: TextTextPublication details: М. Логос 2003Description: 302, [2] с. рисISBN: 594010214XSubject(s): полупроводники | структурные дефекты | легированные кристаллы | преципитация донорных примесей | преципитация акцепторных примесей | эпитаксиальные структуры | дефектообразование | кристаллы бинарные | кристаллографическая полярность | гетероэпитаксиальные структуры | эпитаксиальные пленки | электронное облучение | ионное облучение | электронное облучение с надпороговыми энергиями | моделирование дефектообразования | проводимости локальная инверсия | монокристаллы полупроводников | термообработка в вакууме | термообработка в атмосфере | полупроводниковые сверхструктуры | выращивание монокристаллов | анизотропия | полупроводники широкозонные | Бриджмена метод выращивания кристаллов | Пайпера метод выращивания кристаллов | Полича метод выращивания кристаллов
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Item type Current library Call number Copy number Status Date due Barcode
Выдается в читальный зал Книгохранилище 1-921229к 53 (Browse shelf (Opens below)) 1 Available 13820000477619

Библиогр.: с. 282-302

There are no comments on this title.

to post a comment.