Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"узкозонные полупроводники"'

Search

Your search returned 8 results.

	1.	No cover image available Luminescence studies of HgCdTe‑ and InAsSb‑based quantum‑well structures I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, O. I. Fitsych [et al.] by Izhnin, A. I \| Fitsych, Olena I \| Voytsekhovskiy, Alexander V \| Gorn, Dmitriy Igorevich \| Semakova, A. A \| Bazhenov, N. L \| Mynbaev, Karim D \| Zegrya, G. G \| Izhnin, Igor I. Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух by Несмелов, Сергей Николаевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Concentration of majority charge carriers in the near-surface graded-gap layer of MBE n(p)-HgCdTe determined from capacitance measurement.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. П. Казак, О. Г. Ланская by Ланская, О. Г \| Антонов, В. В \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Казак, Е. П. Source: Энергетика, электроника, связь : материалы третьей региональной научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты - народному хозяйству"Material type: Article; Format: print ; Nature of contents: ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band semiconductors caused by soft X-ray radiation V. G. Sredin, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Melekhov, R. S. Ramakoti by Sredin, Victor G \| Voytsekhovskiy, Alexander V \| Melekhov, Andrey P \| Ramakoti, Ravi S. Source: 7th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE-2020 online), September 14–25, 2020, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Фазы переменного состава в системах Ag2X-AgBiX2-PbX (X-Se, Te) К. Н. Бабанлы, Н. Б. Бабанлы, И. И. Алиев by Бабанлы, К. Н \| Бабанлы, Н. Б \| Алиев, И. И. Source: Полифункциональные наноматериалы и нанотехнологии. Т. 1Material type: Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Кульчицкий, Николай Александрович. Source: VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудовMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Effect of illumination on admittance of MIS structure based on graded-gap MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский by Исмайлов, Намик Джамиль оглы \| Талипов, Нияз Хатимович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	No cover image available Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Вольт-фарадные характеристики CdHgTe МДП-структур с одиночными квантовыми ямами на основе HgTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)