|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
Атомная структура полупроводниковых систем [А. Л. Асеев, Ю. Д. Ваулин, С. И. Стенин и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников by Асеев, Александр Леонидович, 1946- | Ваулин, Юрий Дмитриевич | Стенин, Сергей Иванович, 1940-1990 | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск). Material type:  Text; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Language: Russian, English Publication details: Новосибирск Изд-во Сиб. отд-ния РАН 2006Availability: No items available :
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
|
|
|
14.
|
|
|
|
15.
|
|
|
|
16.
|
|
|
|
17.
|
|
|
|
18.
|
|
|
|
19.
|
|
|
|
20.
|
|
|
|
21.
|
Полупроводниковые соединения группы AII BV В. Б. Лазарев, В. Я. Шевченко, Я. Х. Гринберг, В. В. Соболев ; [отв. ред. И. В. Тананаев] ; Акад. наук СССР, Ин-т общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова by Лазарев, Владислав Борисович, 1929-1994 | Шевченко, Владимир Ярославович | Соболев, Валентин Викторович | Гринберг, Яков Хаскелевич | Тананаев, Иван Владимирович, 1904-1993 [edt]. Material type: Text; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Publication details: М. Наука 1978Availability: No items available :
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
|
|
|
24.
|
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
|
|
|
29.
|
|
|
|
30.
|
|
|
|
31.
|
|
|
|
32.
|
|
|
|
33.
|
|
|
|
34.
|
|
|
|
35.
|
|
|
|
36.
|
|
|
|
37.
|
|
|
|
38.
|
|
|
|
39.
|
|
|
|
40.
|
|
|
|
41.
|
|
|
|
42.
|
Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B В. А. Рогозин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач [и др.] by Рогозин, В. А | Васильевский, Иван Сергеевич | Деркач, А. В | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Галиев, Г. Б | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Гурин, Петр Васильевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
43.
|
Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te В. И. Дубовик, Н. А. Давлеткильдеев, В. А. Богданова, Н. А. Семиколенова by Дубовик, Виктор Иванович | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Богданова, Вера Александровна | Семиколенова, Надежда Александровна. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
44.
|
|
|
|
45.
|
Observation of a highly spin-polarized topological surface state in GeBi2Te4 K. Okamoto, K. Kuroda, H. Miyahara [et.al.] by Kuroda, Kenta | Miyahara, H | Miyamoto, Kouji | Okuda, Taichi | Aliev, Ziya S | Amiraslanov, Imamaddin R | Shimada, Kenya | Namatame, Hirofumi | Taniguchi, Masaki | Samorokov, D. A | Menshchikova, Tatiana V | Chulkov, Evgueni V | Kimura, Akio | Okamoto, Katsuhiko | Babanly, Mahammad B | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики металлов. Source: Physical Review BMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
46.
|
|
|
|
47.
|
|
|
|
48.
|
|
|
|
49.
|
|
|
|
50.
|
Интеграция III-нитридов и традиционных соединений III-V В. В. Чалдышев by Чалдышев, Владимир Викторович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
