Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A/III B/V и A/II B/IV C/2 V диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук А. С. Поплавной ; науч. рук. В. А. Чалдышев ; Том. гос. ун-т им. В. В. куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова

By: Поплавной, Анатолий Степанович, 1941-Contributor(s): Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 [ths] | Томский государственный университет | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)Material type: TextTextPublication details: Томск [б. и.] 1967Description: 280 л. табл., рисSubject(s): диссертации | полупроводники, электронные процессы | энергетические спектры носителей тока | зонная структура полупроводников | метод псевдопотенциала | гамильтониан эффективный | симметрии кристаллической решетки | энергетические спектры электронов | полупроводниковые соединения | фосфид алюминия | арсенид галлия | кристаллические решетки халькопирита | энергетические зоны полупроводников, структура | кристаллические решетки сфалерита | энергетические зоны полупроводников, расчет структуры
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Item type Current library Call number Status Date due Barcode
Выдается в читальный зал Книгохранилище 964953 (Browse shelf (Opens below)) Available 13820000888876

Библиогр.: л. 273-280

There are no comments on this title.

to post a comment.