Normal view
MARC view
Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A/III B/V и A/II B/IV C/2 V диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук А. С. Поплавной ; науч. рук. В. А. Чалдышев ; Том. гос. ун-т им. В. В. куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 1967Description: 280 л. табл., рисSubject(s): диссертации | полупроводники, электронные процессы | энергетические спектры носителей тока | зонная структура полупроводников | метод псевдопотенциала | гамильтониан эффективный | симметрии кристаллической решетки | энергетические спектры электронов | полупроводниковые соединения | фосфид алюминия | арсенид галлия | кристаллические решетки халькопирита | энергетические зоны полупроводников, структура | кристаллические решетки сфалерита | энергетические зоны полупроводников, расчет структурыItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 964953 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000888876 |
Библиогр.: л. 273-280
There are no comments on this title.