Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 3 results.

    1.
    No cover image available
    Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов А. Амброзяк ; пер. с пол. Н. И. Тюшкевича ; под ред. Б. Т. Коломийца

    by Амброзяк, А | Коломиец, Б. Т [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Советское радио 1970Other title: Konstrukcja i Technologia ....Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами М. Г. Верхолетов

    by Верхолетов, Максим Георгиевич.

    Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of barrier contacts on carrier transport in homogeneous gaas structures doped with deep Cr and EL2 centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart