Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 15 results.

    1.
    No cover image available
    Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 ; 01.04.02 Разжувалов Александр Николаевич ; науч. рук. С. Н. Гриняев ; Том. гос. ун-т, Сиб. Физико-Технич. ин-т им. акад. В. Д. Кузнецова

    by Разжувалов, Александр Николаевич | Гриняев, Сергей Николаевич [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2009Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Fabrication and investigation of indium nitride possessing ferromagnetic properties S. S. Khludkov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov

    by Khludkov, Stanislav S | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi [et.al.]

    by Romanov, I. S | Brudnyi, Valentin N | Kopyev, Viktor V | Novikov, Vadim A | Marmalyuk, A. A | Kureshov, V. A | Sabitov, D. R | Mazalov, A. V | Prudaev, Ilya A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation I. Prudaev, S. Sarkisov, O. Tolbanov, A. Kosobutsky

    by Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Kosobutsky, Alexey V | Sarkisov, Sergey Yu | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physica status solidi BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. А. Прудаев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond I. A. Prudaev, S. Y. Sarkisov, O. P. Tolbanov, А. V. Kosobutsky

    by Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Kosobutsky, Alexey V | Sarkisov, Sergey Yu | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells I. Prudaev, Y. L. Zubrilkina, A. A. Baktybaev, I. S. Romanov

    by Prudaev, Ilya A | Baktybaev, A. A | Romanov, I. S | Zubrilkina, Yu. L | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    Получение и исследование нитрида индия, обладающего ферромагнитными свойствами С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    11.
    No cover image available
    Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi [et.al.]

    by Romanov, I. S | Brudnyi, Valentin N | Kopyev, Viktor V | Novikov, Vadim A | Marmalyuk, A. A | Kureshov, V. A | Sabitov, D. R | Mazalov, A. V | Prudaev, Ilya A.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    12.
    No cover image available
    Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. N. Brudnyi

    by Prudaev, Ilya A | Romanov, I. S | Brudnyi, Valentin N | Kopyev, Viktor V | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    13.
    No cover image available
    Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    14.
    No cover image available
    Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes I. Prudaev, O. Tolbanov, S. Khludkov

    by Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Khludkov, Stanislav S | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physica status solidi AMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    15.
    No cover image available
    Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart