|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
|
|
5.
|
Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др. by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
6.
|
Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев [и др.] by Коляда, Дмитрий Владимирович | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Машанов, Владимир Иванович | Скворцов, Илья Владимирович | Есин, Михаил Юрьевич | Петрушков, Михаил Олегович | Комков, Олег Сергеевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Influence of different annealing types on the infrared photoluminescence of GeSiSn/Ge/Si multiple quantum well nanostructures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
7.
|
|