Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 7 results.

    1.
    Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич.

    Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Properties of CdHgTe based nanostructures with quantum wells for photonics.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP Д. В. Бессонов, В. Л. Олейник

    by Бессонов, Дмитрий Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев [и др.]

    by Коляда, Дмитрий Владимирович | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Машанов, Владимир Иванович | Скворцов, Илья Владимирович | Есин, Михаил Юрьевич | Петрушков, Михаил Олегович | Комков, Олег Сергеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Influence of different annealing types on the infrared photoluminescence of GeSiSn/Ge/Si multiple quantum well nanostructures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :