Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 31 results.

    1.
    No cover image available
    Методы измерения параметров полупроводниковых материалов [учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы"] Л. П. Павлов

    by Павлов, Лев Павлович.

    Edition: Изд. 2-е, перераб. и доп.Material type: Text Text; Literary form: Not fiction Publication details: Москва Высшая школа 1987Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    Контакты металл-полупроводник: физика и модели В. Г. Божков ; Науч.-исслед. ин-т полупроводниковых приборов (АО "НИИПП")

    by Божков, Владимир Григорьевич.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах Булярский С. В., Грушко Н. С. ; Гос. ком. Рос. Фед. по высш. образованию

    by Булярский, Сергей Викторович | Грушко, Наталья Сергеевна.

    Series: Университеты РоссииMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Издательство Московского университета 1995Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале В. М. Калыгина, В. А. Макаров, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Калыгина, Вера Михайловна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Макаров, Владимир Анатольевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Electrical characteristics of metall-TiO2-Si structures on an alternating signal.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Journal of physics and chemistry of solidsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of delta-doped GaAs structures. Theory and experiment V. L. Gurtovoi, V. V. Sirotkin, S. Yu. Shapoval [et.al.]

    by Gurtovoi, V. L | Sirotkin, V. V | Shapoval, S. Yu.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    Исследование электрических характеристик структур TiO2-Si С. Ю. Цупий, А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Новиков, Вадим Александрович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Черников, Евгений Викторович | Яскевич, Тамара Михайловна | Цупий, Светлана Юрьевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    11.
    No cover image available
    Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста Д. В. Горшков, Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров [и др.]

    by Горшков, Дмитрий Витальевич | Закиров, Евгений Рашитович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Сабинина, Ирина Викторовна | Гутаковский, Антон Константинович | Вдовин, Владимир Ильич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Studying the properties of HfO2 films grown by plasma-enhanced atomic layer deposition at different growth temperatures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    12.
    No cover image available
    Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса П. А. Брудный

    by Брудный, Павел Александрович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of quantum wells in LED structures based on AlGaInP solid solution by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    13.
    No cover image available
    Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы X Международной научно-технической конференции (Москва, ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2004, 9-11 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVI Международного симпозиума (Москва, ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2004, 9-11 сентября)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    14.
    No cover image available
    Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN Ю. Л. Зубрилкина, И. А. Прудаев, В. Л. Олейник, С. Б. Ширапов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович | Ширапов, Сергей Баирович | Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    15.
    No cover image available
    Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова и др.

    by Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    16.
    No cover image available
    Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев [и др.]

    by Калыгина, Вера Михайловна | Киселева, Ольга Сергеевна | Кушнарев, Богдан Олегович | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цымбалов, Александр Вячеславович.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    17.
    No cover image available
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    18.
    No cover image available
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    19.
    No cover image available
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич физик | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    20.
    No cover image available
    Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP Д. В. Бессонов, В. Л. Олейник

    by Бессонов, Дмитрий Владимирович | Олейник, Владимир Леонидович.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    21.
    No cover image available
    Учет зависимости электронного сродства от состава при расчете зонных диаграмм варизонных структур CdHgTe Д. И. Горн, С. Н. Несмелов

    by Горн, Дмитрий Игоревич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Физика : материалы XLVII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 11-15 апреля 2009 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    22.
    No cover image available
    Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    23.
    No cover image available
    Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Modeling of the capacitance-voltage characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe at inhomogeneous distribution of composition and dopant.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    24.
    No cover image available
    Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    25.
    No cover image available
    Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Materials research expressMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    26.
    No cover image available
    Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4 В. Л. Олейник, В. В. Копьев

    by Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    27.
    No cover image available
    Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures V. M. Kalygina, O. S. Kiselyeva, B. O. Kushnarev [et al.]

    by Kalygina, Vera M | Kiselyeva, O. S | Kushnarev, Bogdan O | Oleinik, Vladimir L | Petrova, Julianna S | Tsymbalov, Alexander V.

    Source: SemiconductorsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    28.
    No cover image available
    Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др.

    by Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    29.
    No cover image available
    Образование поверхностных дефектов в n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Средин, Виктор Геннадиевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Formation of surface defects in n-CdxHg1-xTe by soft X-ray radiation from a laser plasma.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    30.
    No cover image available
    Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    31.
    No cover image available
    Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Capacitive properties of MIS systems based on the HgCdTe nBn structure.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart