Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский
Material type:
ArticleSubject(s): германий | кремний | квантовые точки | молекулярно-лучевая эпитаксияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 231-234Abstract: В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины смачивающего слоя германия и вклад энергии образования дополнительных ребер в изменение свободной энергии при формировании квантовой точки. Рассчитываются функция свободной энергии при переходе атомов из смачивающего слоя в островок, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, поверхностная плотность и функция распределения островков по размерам.
Библиогр.: 14 назв.
В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины смачивающего слоя германия и вклад энергии образования дополнительных ребер в изменение свободной энергии при формировании квантовой точки. Рассчитываются функция свободной энергии при переходе атомов из смачивающего слоя в островок, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, поверхностная плотность и функция распределения островков по размерам.
There are no comments on this title.