Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga2O3-структур А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. И. Степанов [и др.]

Contributor(s): Алмаев, Алексей Викторович | Николаев, Виктор Иванович | Степанов, Сергей Игоревич | Яковлев, Никита Николаевич | Печников, Алексей Игоревич | Черников, Евгений Викторович | Кушнарев, Богдан ОлеговичMaterial type: ArticleArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Effect of ambient humidity on the electrical conductivity properties of polymorphic Ga2O3 structures [Parallel title]Subject(s): эпитаксиальные слои | эпитаксиальные пленки | полиморфные превращения | хлоридная газофазная эпитаксия | вольт-амперные характеристики | влажность атмосферыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Физика и техника полупроводников Т. 55, № 3. С. 269-276Abstract: Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии на сапфировые подложки. В качества контактов использовались Pt и Pt/Ti. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики структур Pt/a-Ga2O3/Pt и Pt/Ti/a-Ga2O3/"-Ga2O3/Ti/Pt имеют высокую чувствительность к влажности атмосферы в области температур 25−100◦C. Установлено, что влияние водяных паров на вольт-амперные характеристики является обратимым и наиболее существенные изменения тока в образцах наблюдаются при относительной влажности RH >= 60%. С повышением температуры эффект влияния влажности атмосферы на вольт-амперные характеристики уменьшается и при температурах T > 100◦C пропадает. Полученные экспериментальные результаты объясняются в рамках механизма Гротгусса.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 33 назв.

Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные слои Ga2O3 осаждались методом хлоридной газофазной эпитаксии на сапфировые подложки. В качества контактов использовались Pt и Pt/Ti. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики структур Pt/a-Ga2O3/Pt и Pt/Ti/a-Ga2O3/"-Ga2O3/Ti/Pt имеют высокую чувствительность к влажности атмосферы в области температур 25−100◦C. Установлено, что влияние водяных паров на вольт-амперные характеристики является обратимым и наиболее существенные изменения тока в образцах наблюдаются при относительной влажности RH >= 60%. С повышением температуры эффект влияния влажности атмосферы на вольт-амперные характеристики уменьшается и при температурах T > 100◦C пропадает. Полученные экспериментальные результаты объясняются в рамках механизма Гротгусса.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share